2026年4月2日，福州大学李福山教授团队在国际顶级期刊《Nature》在线发表题为《Nanoscale transfer‑printed full‑colour ultrahigh‑resolution quantum dot LEDs》的重磅成果，成功攻克全彩超高分辨率量子点发光二极管（QLED）的关键技术难题，为下一代沉浸式近眼显示提供全新可行路径。
当前AR/VR等近眼显示迫切需要视网膜级分辨率（>10000 PPI）与高发光效率兼备的微显示器，但硅基液晶、OLED、Micro‑LED等现有技术，在超高像素密度、全彩集成与器件性能统一上均存在明显短板，而量子点全彩超高分辨率阵列制备一直是行业未攻克的核心卡点。
针对这一痛点，李福山团队原创提出双作用力动力学（DAFD）新策略，融合硬质硅模板纳米压印与倒置转移印刷技术，实现亚微米级RGB像素的高精度、无串扰、高良率制造。该团队采用两步纳米压印‑倒置转印工艺，先通过纳米压印形成高保真RGB微腔阵列，利用润湿性差异将红、绿、蓝量子点墨水精准选择性填充，杜绝颜色串扰；再通过倒置转移印刷，在双作用力驱动下让量子点形成致密无空洞薄膜，转移良率超99.9%，最高实现25400 PPI像素密度，远超视网膜级标准。同时，团队通过在PVA绝缘层掺入TiO₂纳米颗粒调控介电常数，匹配量子点介电特性，显著抑制微孔边缘电场集中，大幅降低漏电流、提升效率与稳定性，从根源解决高分辨率器件性能衰退问题。
此次研发的红色器件（12700 PPI）峰值外量子效率达26.1%，1000 cd/m²亮度下T₉₅寿命65190小时，较传统器件提升超千倍；全彩显示色域覆盖≥85% Rec.2020，白光器件峰值外量子效率达10.1%，显著优于溶液共混型白光QLED；团队还成功与CMOS驱动电路单片集成，制备出1920×1080、5600 PPI有源矩阵显示面板，实现像素独立精准寻址，兼容现有微电子架构。
该成果是福州大学信息类学科首次以第一单位在《Nature》发表研究论文，标志着我国在超高分辨率量子点微显示领域达到国际领先水平，将有力推动AR/VR、近眼显示、高端微显示芯片等领域的技术革新与产业落地。
